Guest
N – канальный полевой транзистор BS170 производства компании Fairchild Semiconductor разработан с использованием DMOS технологии (МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии). Транзистор обладает низким сопротивлением во включенном состоянии, что обеспечивает высокую переключающую способность. Транзистор может использоваться в большинстве приложений, потребляющих постоянный ток до 500 мА. Применяется при малых токах и низких напряжениях: в сервоприводах, в драйверах мощных транзисторов MOSFET и в других устройствах коммутации. Особенности: • Низкое сопротивление RDS (ON). • Низкое пороговое напряжение затвора • Большой импульсный ток Общие сведения • Сопротивление во включенном состоянии Rds 5 Ом • Напряжение сток-исток Vdss 60 В • Напряжение затвор- исток ± 20 В • Ток стока Id постоянный 500 мА • импульсный 1200 мА • Пороговое напряжение затвор-исток (Мах) 3 В • Входная емкость 40 pF • Максимальная мощность рассеивания 830 мВт • Тип корпуса ТО-92.
