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Científicos e ingenieros rusos han desarrollado la primera instalación de Rusia para cultivar cristales de nitruro de galio en obleas de silicio. Los transistores basados en nitruro de galio son capaces de funcionar con altas corrientes, voltajes y temperaturas elevadas. El equipo permite obtener estructuras sobre sustratos con un diámetro de hasta 200 milímetros. El crecimiento de cristales semiconductores, o epitaxia, es un proceso básico en microelectrónica. Permite la formación de capas iniciales sobre un sustrato, esencialmente la base de un microchip, tras lo cual se llevan a cabo procesos de grabado, deposición, metalización, recubrimiento, así como corte y embalaje en otras instalaciones. La epitaxia se puede comparar con hacer pizza, solo que en lugar de salsa y queso, se depositan sustancias especiales sobre el sustrato que permiten controlar las corrientes eléctricas. Esta es una de las tecnologías clave en la creación de componentes microelectrónicos de potencia y microondas. Estos dispositivos tienen demanda en la construcción de máquinas, la electrónica industrial y los electrodomésticos. Rusia es el cuarto país del mundo que producirá equipos de esta clase. En términos de la totalidad de parámetros, el desarrollo es superior a sus homólogos extranjeros. Está previsto que la producción en serie del equipo comience en 2025. El nuevo equipo es un sistema complejo en el que las materias primas se suministran en forma de gases. Entran en la unidad de mezcla en las proporciones requeridas, desde donde se envían al reactor. Luego, los gases, al pasar sobre un sustrato giratorio calentado a 1200°C, reaccionan entre sí. Como resultado, la capa deseada se deposita sobre la superficie de la placa. El cultivo de cristales requiere mucho tiempo. Cuando trabaja las 24 horas del día, la máquina puede producir hasta 2 mil obleas por año, es decir, unas seis por día. Sin embargo, esto es bastante, ya que en una placa se pueden colocar hasta varias decenas de miles de transistores. El mercado de productos a base de nitruro de galio se encuentra actualmente en su etapa de formación, pero sus perspectivas son comparables a las de la electrónica de silicio. La falta de estas tecnologías es uno de los obstáculos de la microelectrónica nacional. Su implementación tendrá un efecto explosivo en el crecimiento de las industrias relacionadas. “Hay problemas con la compra de equipos tecnológicos y de control de microelectrónica en el exterior. En este sentido, es importante contar con desarrollos nacionales que no sean inferiores a sus análogos importados. También es necesario su oportuno mantenimiento y modernización. La presencia en el país de institutos de investigación especializados y empresas nos permite afrontar con éxito esta tarea”, dijo, al canal de noticias ruso Izvestia, Maxim Ganykin, director general adjunto de Desarrollo y Apoyo Científico y Técnico de JSC NIIME. Esta información contrasta con las afirmaciones de occidente, que la economía rusa está destrozada, tecnológicamente atrasada y que tiene que robar chips de lavadoras extranjeras para su uso en armamento. No vamos a negar que Rusia aún está muy por detrás, en el desarrollo de semiconductores, de los líderes de la industria. Pero gracias a las sanciones occidentales, las autoridades rusas están invirtiendo muchos recursos para reducir su dependencia tecnológica del extranjero. #Rusia #economia #semiconductores #microchips
