Guest
Скорость роста кристалла определяется следующими факторами: Для расплавов: Скоростью образования зародышей кристаллизации и скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации таким образом, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. Реальные процессы кристаллизации всегда связаны с относительно большими скоростями роста так, что равновесие между расплавом и растущим кристаллом не успевает устанавливаться, т.е. оттесняемая от фронта кристаллизации в расплав примесь (при коэффициенте распределения k меньше 1) не успевает равномерно распределяться по всему объему жидкости, и концентрация примеси у границы раздела возрастает. Таким образом, кристалл растет из слоя расплава, обогащенного примесью, причем это обогащение тем больше, чем больше скорость роста Для растворов: Для получения совершенных моно-, мультикристаллов необходимо учитывать возможность кристаллиз
