Guest
Рассмотрено назначение и особенности применения драйвера для транзисторов MOSFET и IGBT. В первой части вкратце рассмотрено принцип работы транзисторного ключа, управляемого широтно-импульсной модуляцией ШИМ. Показаны отличия идеального транзистора от реального и причины возникновения потерь мощности при включении и отключении, как MOSFET и IGBT транзисторов. Основные потери мощности в транзисторах возникаю при открывании и закрывании. Чем выше частота коммутации полупроводникового прибора, тем выше потери, сильнее нагрев и ниже коэффициент полезного действия схемы. Также мощность выделяется и в открытом состоянии ключа, вследствие наличия падения напряжения. С ростом мощности MOSFT и IGBT увеличивается падение напряжения в открытом состоянии и тем больше потери мощности.
