Резисторы в интегральной структуре

В полупроводниковых интегральных микросхемах (фото - структура биполярника) биполярный транзистор является элементом с самой сложной структурой. Для его формирования необходимо провести последовательно несколько этапов диффузии примесей. Чтобы не усложнять технологию изготовления интегральной микросхемы, целесообразно для создания резисторов использовать одну из областей транзисторной структуры: эмиттер, базу или коллектор. Эмиттерная область содержит наибольшую концентрацию примесей, и обладает наименьшим удельным сопротивлением слоя. Поэтому эмиттерная область пригодна для формирования диффузионных резисторов только с малым сопротивлением (около 10 Ом). Из-за большой концентрации примесей температурные коэффициенты сопротивления таких резисторов будут малы. Коллекторная область транзисторной структуры содержит наименьшую концентрацию примесей. Поэтому коллекторная область вообще пригодна для формирования диффузионных резисторов с большим сопротивлением, но из-за малой концентрации примесей температурные коэффициенты сопротивления таких резисторов велики. Таким образом, для формирования диффузионных резисторов обычно используют базовую область транзисторной структуры. Без существенного увеличения площади, занимаемой диффузионным резистором, в базовой области могут быть созданы резисторы с сопротивлением до 50 кОм. В то же время, такие резисторы имеют приемлемые температурные зависимости сопротивления; во всяком случае, эти зависимости более слабые, чем для диффузионных резисторов, сформированных в коллекторной области. Диффузионные резисторы, как и другие резистивные элементы, характеризуют следующие параметры: Диапазон номинальных значений сопротивления, допуски по сопротивлению, температурный коэффициент сопротивления, допустимая мощность рассеяния и максимальное напряжение.