В России впервые за долгие годы создадут отечественный ионный имплантер, необходимый для производства микросхем

В России впервые за долгие годы создадут отечественный ионный имплантер, необходимый для производства микросхем. Цель проекта - импортозамещение и замена старого отечественного оборудования. В его реализации участвуют два научно-исследовательских института, базирующихся в Зеленограде, — НИИТМ и НИИМЭ, а также Институт ядерной физики Сибирского отделения РАН. Ионный имплантер представляет собой один из ключевых видов оборудования для выпуска чипов. В этом процессе ионная имплантация, то есть введение посторонних атомов в полупроводниковые монокристаллы при ионной бомбардировке поверхности, используется для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Сотрудники АО НИИТМ с участием ИЯФ СО РАН уже разработали эскизный проект среднетокового имплантера и приступили к созданию экспериментального образца установки. Первые экспериментальные образцы планируют изготовить и испытать на соответствие требованиям технологии в 2025 – 2026 годах. Подпишись на ЛОМОВКУ Источник: Lomovka