Guest
Физика 10 класс Урок№33 - Электрический ток в полупроводниках. Узнаем: - об электрических свойствах полупроводников и их практическом применении; - некоторые сведения из истории их открытия. Научимся описывать явления прохождения электрического тока через полупроводники. Сможем изучить действие некоторых полупроводниковых приборов. При контакте полупроводников p- и n-типов образуется контактное электрическое поле, в результате диффузии электронов в полупроводник р-типа, а дырок в полупроводник n-типа. Создаётся запирающий слой для основных носителей заряда. Односторонняя проводимость p–n-перехода При включении в цепь p–n-перехода, когда область с электронной проводимостью соединена с отрицательным полюсом источника тока, а область с дырочной проводимостью – с положительным полюсом, внешнее электрическое поле ослабляет контактное поле, обогащает пограничный слой основными носителями и обеспечивает ток значительной силы, называемый прямым и обусловленный движением основных носителей заряда. При обратном включении внешнее поле усиливает контактное поле, и пограничный слой обедняется основными носителями заряда. Течёт очень малый ток, обусловленный движением через p-n-переход неосновных носителей заряда, которых очень мало. Полупроводниковый диод – устройство, содержащее p–n-переход и способное пропускать ток в одном направлении и не пропускать в обратном. Транзистор или полупроводниковый триод – устройство, содержащее два p–n-перехода, прямые направления которых противоположны. Современная электроника базируется на микросхемах и микропроцессорах, включающих в себя колоссальное число транзисторов. Транзисторы получили очень широкое распространение в современной технике. Они заменили электронные лампы в электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Открытие p–n перехода Создание средств современной цифровой техники базируется на одном изобретении – транзисторе, основной принцип работы которого был открыт дважды, более полувека назад. И за 50 лет использования транзисторов у них не появилось серьёзных конкурентов. Кто же был первооткрывателем физического явления, положенного в основу работы транзистора? 1956 год. В Стокгольмском концертном зале три американских учёных Джон Бардин, Вильям Шокли и Уолтер Браттейн получают Нобелевскую премию «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта» – настоящий прорыв в области физики. Но более чем за 15 лет до этого, в начале 1941 года молодой украинский учёный Вадим Лашкарёв первый в мире экспериментально обнаружил p–n-переход и раскрыл механизм электронно-дырочной диффузии, на основе которых в годы Великой Отечественной войны были созданы первые в СССР полупроводниковые диоды, а в начале 50-х годов – первые в Украине полупроводниковые триоды.
