Guest
S-приборы, полупроводниковые приборы, действие которых основано на S-oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением. У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется N-oбразной формой (см. Туннельный диод, Ганна диод), другой — S-oбразной. Первым таким прибором был генерирующий диод, предложенный советским изобретателем Лосевым под названием кристадин. К современным приборам с S-характеристикой относятся четырёхслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями n- и р-типов получившие название тиристоров. Четырёхслойная структура содержит три р — n-перехода Рабочий диапазон токов и напряжений этих приборов колеблется от единиц до десятков и сотен ампер и от десятков до нескольких сотен вольт. Они используются в качестве мощных переключателей на частотах до сотен килогерц. Другим распространённым S-прибором является однопереходный транзистор, у которого имеются 3 электрода и 2 цепи — эмиттерная и межбазовая. При наличии тока в межбазовой цепи в эмиттерной цепи возникает S-характеристика. Однопереходные транзисторы применяются в генераторах сигналов пилообразной формы. S-характеристику имеют также при определённых условиях лавинные транзисторы, Ганна диоды и лавинно-инжекционные полупроводниковые диоды.
